IGZO (In-Ga-Zn-O)

IGZO to określenie półprzewodnikowego tlenku (ang. indium gallium zinc oxide - Ind, Gal, Cynk, Tlen), który jest stosowany w produkcji ekranów LCD, a także w produkcji ekranów OLED.

Z IGZO wykonuje się tranzystory cienkowarstwowe sterujące pikselami ekranu LCD. IGZO to trzeci materiał, który został wykorzystany do tego celu w masowej produkcji. Przed wprowadzeniem IGZO, do produkcji TFT w ekranach stosowany był najczęściej krzem amorficzny (a-Si) oraz na mniejszą skalę krzem polikrystaliczny (p-Si, inaczej poly-Si, inaczej LTPS).

IGZO charakteryzuje się lepszymi parametrami technicznymi niż a-Si, w szczególności zapewnia wyższą mobilność nośników, choć nie dorównuje w tym względzie LTPS. W porównaniu z a-Si, IGZO pozwala zmniejszyć odsetek powierzchni ekranu zajętej przez tranzystory cienkowarstwowe i uzyskać większy odsetek powierzchni przepuszczającej światło. Podwyższona sprawność transmisji światła pozwala zmniejszyć wymaganą moc podświetlenia, lub alternatywnie uzyskać wyższą rozdzielczość bez konieczności zwiększania mocy podświetlenia. Oprócz tego IGZO zużywa też mniej energii (w porównaniu z a-Si) na samo sterowanie matrycy.

Ważną zaletą IGZO jest aplikacja tego materiału w postaci amorficznej. Pozwala to stosować procesy produkcyjne podobne jak na liniach korzystających z a-Si.

Po wielu latach prób i eksperymentów prowadzonych w wielu ośrodkach, pierwsza komercyjnie działająca linia produkcyjna wykorzystująca IGZO została uruchomiona w marcu 2012 roku w fabryce Kameyama Plant No. 2 należącej do firmy Sharp.

Prowadzone są też prace nad krystaliczną wersją IGZO, o jeszcze lepszych parametrach niż wersja amorficzna. Pierwsze informacje o badaniach krystalicznego IGZO opublikowała firma Sharp w czerwcu 2012. Zaprezentowano też wówczas pierwsze prototypy bazujące na krystalicznym IGZO. Badania te były prowadzone przez firmę Sharp we współpracy z Semiconductor Energy Laboratory.